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a. 4단자망과 분포정수회로
b. 브루스터의 법칙
Q. 그림과 같이 자유공간인 매질1(ε0, μ0)에서 매질2(ε0, μ0μr, μr > 1)로 평행 편파(parallel polarization)된 균일 평면파가 θi로 입사할 때, 다음 물음에 답하시오. (단, 두 매질의 경계면에 표면 전하밀도와 표면 전류밀도는 없고, 매질1과 매질2의 위상상수는 β1, β2이고 입사파, 반사파, 투과파의 전기장 진폭은 E0i, E0r, E0t로 표시한다)

Q1. 매질1과 매질2에 존재하는 전체 전기장의 세기와 전체 자기장의 세기를 입사각(θi), 반사각(θr), 투과각(θt), 영역별 유전율과 투자율의 페이저 형식 함수로 표현하시오.
A1.
입사파의 진행방향은 x̂ cos θi + ŷ sin θi이다.
포인팅 벡터 S = (1/μ0) E × B를 상기하면 Ei = E0i (-x̂ sin θi + ŷ cos θi) 를 알 수 있다.
B = μ0H, E = Bv = Bc, c = 1 / √μ0ε0 식으로부터 Hi = √(ε0 / μ0) E0i ẑ 를 알 수 있다.
반사파의 진행방향은 -x̂ cos θr + ŷ sin θr이며 자기장은 진행 방향 때문에 -ẑ 방향이 된다.
투과파의 진행방향은 x̂ cos θt + ŷ sin θt이며 자기장은 동일하게 ẑ 방향이 된다.
따라서 페이저 형식 함수는 다음과 같다.

Q2. 스넬의 반사 법칙과 스넬의 굴절 법칙이 성립함을 증명하고, 반사계수(Γ)와 투과계수(τ)를 구하시오.
A2.
경계면 x = 0에서 모든 y 위치에서 위상항이 동일해야 한다.
따라서 β1 sin θi = β1 sin θr = β2 sin θt 이다.
그러므로 θi = θr (스넬의 반사법칙), β1 sin θi = β2 sin θt (스넬의 굴절 법칙)이 성립한다.
참고로, β1 = ω√(μ0ε0), β2 = ω√(μ0μrε0)와 같아서 sin θt = (1 / √μr) sin θi = (n1 / n2) sin θi (n : 굴절률)로 나타낼 수 있다.
각 계면에서 얻은 접선 전기장과 접선 자기장이 경계면에서 일치해야 하므로 2개의 조건을 구하고, 미지수가 2개이므로 풀 수 있다.

Q3. 이 문제에서 브루스터 각(Brewster angle)의 존재 여부를 기술하고, 증명하시오.
A3.
브루스터 각은 특정 편광 성분의 반사계수 Γ가 0이 되는 입사각을 지칭한다.
Γ = 0 ⇔ √μr cos t = cos θi
스넬의 법칙에 의해, √μr sin θt = sin θi이므로 양변 제곱하여 얻으면 μr = 1을 얻는다.
이는 주어진 조건 μr > 1에 위배되므로 그러한 브루스터 각은 존재하지 않는다.
실제 브루스터 각이 형성되는 경우(예 : 공기-유리 계면)는 μ1 ≈ μ2, ε1 ≠ ε2인 거지, μ1 ≠ μ2이면 브루스터 각이 존재하지 않는다.
입력: 2026.07.04 14:19
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