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▶ 자연과학/▷ 회로이론

【회로이론】 회로이론 목차 회로이론 목차 추천글 : 【전기기사】 전기기사 목차, 【물리학】 물리학 목차 최근 수정 내역 광 다이오드 (23.08.04) 전기산업기사를 취득한 경험을 바탕으로 작성한 글입니다. Ⅰ. 개요 1강. 회로이론의 기본 Ⅱ. 전원과 수동소자 2강. 전원 3강. 저항 4강. 커패시터와 코일 5강. 스위치 등 6강. RLC 예제 Ⅲ. 능동소자 7강. 다이오드 8강. 트랜지스터 9강. 반도체 증폭회로 10강. Op Amp Ⅳ. 논리소자 11강. 논리설계 Ⅴ. 집중정수회로 (참고) 12강. 직류회로이론 13강. 휘트스톤 브릿지와 센서 14강. 교류회로이론 15강. 다상교류 16강. 4단자망과 제어이론 Ⅵ. 분포정수회로 (참고) 17강. 4단자망과 분포정수회로 Ⅶ. 회로이론의 응용 Logic Probe 스피커 플래시 ..
【회로이론】 16-1강. 필터회로 보충 16-1강. 필터회로 보충 추천글 : 【회로이론】 16강. 4단자망과 제어이론 1. 수동 필터회로 [본문] 2. Sallen-Key filter [본문] 3. Butterworth filter [본문] 4. Chebyshev filter [본문] 5. Elliptic filter [본문] 6. Bessel filter [본문] 1. 수동 필터회로 [목차] ⑴ 저역통과필터(low-pass filter) ⑵ 고역통과필터(high-pass filter) ⑶ 대역통과필터(pass-band filter) ⑷ 대역저지필터(stop-band filter, band-stop filter, notch filter) 2. Sallen-Key filter [목차] ⑴ high pass Sallen-Key filter Fig..
【회로이론】 17강. 4단자망과 분포정수회로 17강. 4단자망과 분포정수회로 추천글 : 【회로이론】 회로이론 목차 1. 불균일성 1. 분극 [본문] 2. 불균일성 2. 포인팅 벡터 [본문] 3. 4단자망과 분포정수회로 [본문] 1. 불균일성 1. 분극(polarization) [목차] ⑴ 개요 ① 분극 : 외부 전기장이 가해질 때 물체 안의 전하 분포가 재배열되는 현상. 전기 쌍극자가 생성됨 ② 유전체(dielectric) : 전기장을 가할 때 유전 분극 현상이 일어나는 물질 ③ 유전율(permittivity) 또는 유전상수(dielectric constant) : 유전체에서 분극 현상이 일어나는 정도 ○ 부도체의 전기적인 특성을 나타내는 값으로 절연성이 클수록 유전율이 큼 ○ 화학에서는 용매의 극성이 클수록 유전상수가 크다는 사실이 중요하게 이용..
【회로이론】 8-1강. 트랜지스터 실험 8-1강. 트랜지스터 실험 추천글 : 【회로이론】 8강. 트랜지스터 Q1. 아래 회로를 구성하고 지시에 따라 V2값과 R2값을 바꿔가며 R2의 양단전압을 구한다. 각각의 결과에 대해 이론값을 계산하고 오차가 있다면 그 원인에 대해 분석한다. (V1과 R1 값은 바꾸지 않으며, 그래프의 미세한 진동은 무시한다.) A1. R2 양단전압의 실험값 표는 아래와 같다. R2 양단전압의 이론값 표는 아래와 같다. 단, β = 400, VBE = 0.7 V, VCE(sat) = 0.3 V로 두었다. 그 결과 전혀 다른 결론이 나온다는 것을 알 수 있다. 따라서 시뮬레이션에서 사용된 Q2N2222 트랜지스터의 파라미터가 위에서 사용한 파라미터와 차이가 있음을 함축하고 있다. 따라서 다음과 같은 실험을 구성하였고 그 결..
【회로이론】 8-2강. 반도체 관련 문제 8-2강. 반도체 관련 문제 추천글 : 【회로이론】 7강. 다이오드, 【회로이론】 8강. 트랜지스터 1. 진성반도체와 p형 반도체의 전기전도도 비교 ⑴ 문제 ① e = 1.6 × 10-19 C ② NA = 6.02 × 1023 ③ ρSi = 2.33 × 106 g/m3 ④ μSi = 28.09 g/mol ⑤ NIn / NSi = 10-7 ⑥ ni = 1.5 × 1016 m-3 ⑦ μn = 0.135 m2/Vs ⑧ μp = 0.048 m2/Vs ⑵ 답 ① σ진성반도체 = 4.392 × 10-4 S ② σp형 반도체 = 38.35 S ③ 87,320배 차이남 2. 저항의 저항값, 면적, 길이가 주어졌을 때 전기전도도 계산 ⑴ 문제 ① R = 10 kΩ ② A = 10-2 cm2 ③ L = 100 cm ④ μ..
【회로이론】 7-1강. 다이오드 실험 7-1강. 다이오드 실험 추천글 : 【회로이론】 7강. 다이오드 Q1. 아래 회로도에서 R1 양단에 걸리는 전압을 SIMetrix로 확인하여라. 실제 다이오드 D1N4148의 문턱 전압은 얼마인가? 분석 설정: Transient, 0.1 sec. A1. ⑴ 포인트 1. 이상적인 다이오드 + 무한한 분해능이면 정현파에서 양의 부분이 출력됨 ① 실제 다이오드이므로 문턱전압만큼 출력전압이 아래로 평행이동 ② 무한한 분해능이 아니므로 매끄러운 곡선이 아니라 다소 거친 그래프를 보여줌 ⑵ 포인트 2. D1N4148의 문턱전압은 0.7118 V임 Q2. 아래 회로도에서 R1의 양단에 걸리는 전압을 SIMetrix로 확인하여라. R1 저항의 크기는 10 Ω, 100 Ω, 1 kΩ, 10 kΩ이다. 분석 설정 : Tr..
【회로이론】 10강. Op Amp 10강. Op Amp(operational amplifier) 추천글 : 【회로이론】 회로이론 목차 1. 개요 [본문] 2. 이상적 Op Amp [본문] 3. 실제 Op Amp [본문] 4. Op Amp의 파라미터 [본문] a. 부유 커패시터와 Op Amp의 피드백 방향 1. 개요 [목차] ⑴ 정의 : 두 입력 단자 사이의 전위차를 증폭하여 전압의 형태로 출력하는 소자 ⑵ Op Amp 소자의 구조 Figure. 1. Op Amp 소자의 구조 ① 소자의 윗부분이 패여 있어, 위, 아래의 구분이 가능 ② output voltage = A × (non-inverting input voltage + (-1) × inverting input voltage) ○ non-inverting input voltage를 ..
【회로이론】 9강. 반도체 증폭회로 9강. 반도체 증폭회로 추천글 : 【회로이론】 회로이론 목차 1. 바이어스 회로 [본문] 2. 대신호, 소신호 해석 [본문] 3. BJT 트랜지스터를 이용한 증폭기 [본문] 4. FET 트랜지스터를 이용한 증폭기 [본문] 1. 바이어스 회로 [목차] ⑴ 문제점 : 증폭회로의 입력신호는 교류이고 크기가 작음 ⑵ 트랜지스터가 의도된 기능을 수행하도록 적절한 직류 전압을 걸어줌 ① 일반적으로 BJT 트렌지스터의 경우 활성 영역에서 기능을 설계함 ② 일반적으로 FET 트렌지스터의 경우 포화 영역에서 기능을 설계함 ⑶ BJT 트랜지스터의 바이어스 회로 ① 베이스 바이어스 회로 ○ 단일 전원과 저항 2개로 VC와 VB를 조절하는 회로 ○ 온도에 대한 안정성이 낮아서 잘 사용하지 않음 Figure. 1. 베이스 바이..

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