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a. 트랜지스터
Q. 다음 회로에서 R1 = 75 kΩ, R2 = 1.0 MΩ, R3 = 1.2 kΩ, RL = 620 Ω, βDC = 75, VCE1(sat) = VCE2(sat) = 0.3 V일 때, 다음 물음에 답하시오. 단, 베이스와 이미터 간 순방향 전압강하 = 0.7 V, VT = 25 mV, 얼리효과는 무시한다.
Q1. SW가 ON 상태와 OFF 상태일 때, 트랜지스터 Q1과 Q2의 동작상태를 설명하시오.
A1.
⑴ SW가 ON 상태일 때
트랜지스터 Q1을 보면 베이스 전압이 이미터 전압보다 높으므로 차단영역에 있지 않다.
따라서 베이스 전압과 베이스 전류는 다음과 같다.
만일 트랜지스터 Q1이 활성영역에서 동작한다고 가정하면 콜렉터 전압이 올바른 결과가 나오지 않는다.
따라서 트랜지스터 Q1은 포화영역에 있다; 그러므로 VC1 = 0.3 V이다.
VC1이 베이스와 이미터 간 순방향 전압강하 0.7보다 작으므로 트랜지스터 Q2는 차단영역에 있다.
⑵ SW가 OFF 상태일 때
트랜지스터 Q1은 차단영역에 있다.
VB2 > 0이므로 트랜지스터 Q2는 차단영역에 있지 않다.
만일 트랜지스터 Q2가 활성영역에서 동작한다고 가정하면 조건식이 나온다.
트랜지스터 Q2는 위 조건을 만족하면 활성영역, 만족하지 않으면 포화영역에 존재한다.
Q2. RL에 포화전류가 흐르기 위해 충분한 베이스 전류가 트랜지스터 Q2에 공급되어야 한다. 이를 위한 R4의 크기를 구하시오.
A2. 추후 업데이트
Q3. Q2에서 구한 R4의 값을 가지고 SW가 ON 상태와 OFF 상태일 때, 각 저항 (R1 ~ R4, RL)의 전력소모를 계산하시오.
A3. 추후 업데이트
입력 : 2019.11.23 18:07
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