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【회로이론】 3강. 저항

 

3강. 저항(resistance or resistor)

 

추천글 : 【회로이론】 회로이론 목차


1. 저항의 특징 [본문]

2. 옴의 법칙 [본문]

3. 저항의 종류 [본문]

4. color coding [본문]

5. 저항과 온도의 관계 [본문]

6. 여러 저항값 [본문]

7. 면저항 [본문]

8. 저항의 측정 [본문]


a. 옴의 법칙 실험 


 

1. 저항의 특징 [목차]

⑴ 전력이 항상 양의 부호 : 전기장의 방향과 전류의 방향이 항상 같음

⑵ 모든 저항체의 저항은 양수

다만 이론적으로 저항을 음수로 볼 수도 있음 

: 트랜지스터, 등가회로의 저항 

⑶ 저항과 컨덕턴스

저항 (단위 : Ω) : 전류를 방해하는 정도

② 컨덕턴스(conductance) (단위 : ℧ 또는 S(siemens)) : 전류를 잘 흐르게 하는 정도

(참고) 교류저항에서 컨덕턴스는 어드미턴스의 실수부

 

 

2. 옴의 법칙(Ohm's law) [목차]

⑴ 1827년 독일의 과학자 옴(George Simon Ohm)이 실험적으로 확립

법칙 : 옴물질에서 근사적으로 다음이 성립

 

 

증명

 

 

① m : 전자의 질량

② q : 전자의 전하량 (C) (부호 고려)

③ μ : 충돌 빈도수 (Hz)

④ J : 전류밀도

⑤ σ : 전기전도도 (㎡)

⑥ E : 전기장 (N/C)

⑦ N : 전자 밀도

⑧ 도선에 많이 사용하는 구리의 경우 시간상수 τ = 1 / μ = 10-14이므로 e-μt 항이 무시될 수 있어 다음과 같이 간주 가능

 

 

J(τ) = 0.632 J()

J(3τ) = 0.95 J()

J(5τ) = 0.99 J()

⑨ 옴물질에서 다음이 근사적으로 성립함

 

 

○ σ : 전도도(conductivity)

○ ρ : 비저항. σ의 역수

⑷ 옴물질의 시간-전류밀도 곡선

 

옴물질의 시간-전류밀도 곡선

Figure. 1. 옴물질의 시간-전류밀도 곡선

 

① t = 0 근처에서는 시간상수 = 1/μ로 전류가 선형적으로 증가

② 충분한 시간이 흐른 후 특정한 값으로 안정화

 

 

3. 저항의 종류 [목차]

고정저항(fixed resistor) : 저항값이 바뀌지 않는 저항

① lead type : carbon-composition

잘게 갈린 탄소, 부도체 필터, 합성 수지 접착제의 결합

탄소와 부도체 필터의 비율이 저항값을 결정

낮은 전력 : 2 W, 1 W, 0.5 W, 0.25 W, 0.125 W

 

lead type : carbon-composition
출처: Floyd, p. 39, Figure 2.25

Figure. 2. lead type : carbon-composition]

 

② lead type : film resistor

○ 1st. carbon film이나 metal film (Nickel-Chromium)이 세라믹 막대를 둘러싼다. (필름이 저항 역할을 수행)

○ 2nd. filmed ceramic rod를 나선모양으로 깎아서 원하는 저항값을 만든다.

매우 정확하게 원하는 저항값을 얻을 수 있음

 

lead type : film resistor
출처: Floyd, p. 40, Figure 2.26

Figure. 3. lead type : film resistor]

 

③ lead type : wire wound resistor

절연체 막대 주위에 저항체 도선을 두르고, 그 위에 다시 절연체로 밀봉

매우 높은 전도도와 전력값이 특징

높은 진동수의 전원에서는 사용하지 않음

두 번째 그림의 빨래판 구조는 발열판으로 열을 내보냄

 

lead type : wire wound resistor
출처: Floyd, p.40, Figure 2.27

Figure. 4. lead type : wire wound resistor]

 

④ resistor network : lead type를 변형한 형태

 

resistor network
출처: Floyd, p.39, Figure 2.25

Figure. 5. resistor network]

 

⑤ tiny chip resistor

표면실장형 부품(surface mount device, SMD) : 소형회로를 구성하는 데 적합

세라믹 부도체 위에 저항체를 둔 것으로, 높이비에 따라 저항값을 결정

 

tiny chip resistor
출처: Floyd, p.39, Figure 2.25

Figure. 6. tiny chip resistor]

 

가변저항(variable resistor, rheostat) : 저항값이 바뀔 수 있는 저항

표기

 

 

종류 1. 포텐시오미터(potentiometer) : 저항의 길이를 조절할 수 있는 장치. 선형 변위나 각 변위를 측정하는 데 사용함

포텐시오미터의 표기 및 구조

 

 

포텐시오미터의 표기 및 구조
출처: Floyd, p. 45, Figure 2.34

Figure. 7. 포텐시오미터의 표기 및 구조]

 

하나의 가변저항으로 사용하는 방법

 

포텐시오미터를 하나의 가변저항으로 사용하는 방법

Figure. 8. 포텐시오미터를 하나의 가변저항으로 사용하는 방법

 

포텐시오미터의 종류

 

 

 

포텐시오미터의 종류
출처: Floyd, p. 45, Figure 2.35

Figure. 9. 포텐시오미터의 종류]

 

종류 2. 태코미터(tachometer) : 각속도를 측정하는 데 사용함

○ 태코미터의 구조

 

태코미터의 구조
출처 : Copyright ⓒ 2011 Pearson Education, Inc. publishing as Prentice Hall

Figure. 10. 태코미터의 구조]

 

○ 원리 : 전자기유도를 통해 각속도를 측정

종류 3. LVDT(linear variable differential transformer)

○ 측정해야 하는 변위가 좀 큰 경우에 사용

○ 변위가 연속적으로 변하는 경우에 사용 가능

○ 자석이 코일 내 어디까지 통과하느냐에 따라 각 코일에 흐르는 전류의 패턴이 다름

종류 4. 가속계(accelerometer)

○ 옛날 구조 : 기계적 센서

○ 요즘 구조 : 반도체 + piezoelectric material

종류 5. 볼로미터(bolometer)

○ 입사 적외선을 흡수해서 가열되면 물체의 온도가 증가하고 물체의 저항이 변화함

5-1. 금속 : 백금 또는 니켈과 같은 금속 세선 (RTD, resistance temperature diode)

5-2. 반도체 : 써미스터, 실리콘 등이 있음

5-3. 초전도체(semiconductor)

종류 6. 써미스터(thermistor)

○ 정의 : 온도에 따라 자동적으로 저항의 값이 변하는 반도체 가변저항

 

 

○ Kitasato Shibasaburo : 세계 최초로 thermistor 온도계를 제작

○ 온도 계수 : 온도 증가에 따라 저항이 증가하면 양의 값이고 저항이 감소하면 음의 값

○ 종류 1. NTC : 온도 증가에 따라 저항이 감소하는 써미스터. 가장 많이 사용함 ( 만들기 쉬움)

종류 2. PTC : 온도 증가에 따라 저항이 증가하는 써미스터

 

NTC와 PTC

Figure. 11. NTC와 PTC

 

○ 아두이노 키트에 있는 써미스터는 25 ℃에서 100 kΩ의 저항을 가짐

○ (참고) 온도에 따른 물질의 저항 변화

 

온도에 따른 도체, 반도체, 부도체의 저항 변화
출처 : 이미지 클릭

Figure. 12. 온도에 따른 도체, 반도체, 부도체의 저항 변화]

 

○ 도체 : 온도 증가 → 원자들의 진동 증가 → 저항 증가

○ 반도체 : 온도 증가 → 자유전자 및 양공 증가 → 저항 감소

○ 부도체 : 온도 증가 → 전자들이 원자에서 분리 → 저항 감소

○ (참고) 반도체, 부도체에서 원자들의 진동 증가에 따른 저항 증가 효과보다 저항 감소 효과가 더 큼

○ (참고) 반도체를 이용한 컴퓨터 부품 등의 소자는 온도 증가가 과전류 유도 : 냉각 시스템이 필요한 이유

○ 스테인하트 방정식(Steinhart equation) : 온도에 따른 써미스터의 저항의 변화에 대한 실험식

 

 

○ T : 절대온도

○ T0 : 298.15 K

○ R0 : 25 ℃일 때 저항값. 100 Ω, 500 Ω, 1 kΩ, 4.7 kΩ, 10 kΩ, 47 kΩ, 100 kΩ 등

○ R : 측정된 저항값

○ B : 온도계수. 10 kΩ 기준 3950이 일반적

○ 스테인하트 방정식 또다른 실험식

 

 

○ 예시 : 주로 반도체를 이용함

예 1. sintered metal oxide : metal oxide, chromium, cobalt, iron, manganese, nickel의 혼합물

예 2. doped polycrystalline ceramic : BaTiO3 포함

종류 7. 광전도 셀(photoconductive cell)

○ 정의 : 광도에 따라 자동적으로 저항의 값이 변하는 가변저항. 극성이 없음

표기 : 때때로 λ로 표기하기도 함

 

광전도 셀의 표기

Figure. 13. 광전도 셀의 표기

 

광도 계수 : 음의 값인 경우 광도 증가에 따라 저항 감소

일반적으로 복사선을 흡수하면 전기 저항이 감소하는 반도체를 이용함

1st. 빛을 조사하면 전자-정공 쌍이 발생 : 빛은 근적외선 영역 (750 nm ~ 3000 nm)

○ 2nd. 광도전 효과(photoconductive effect) : 전자-정공 쌍이 발생한 부분의 전기 전도도가 증가함

○ 3rd. 전기 전도도의 증가로 전류가 증가함

 

 

○ 4th. 이 전류의 변화를 측정하면 빛의 세기를 검출할 수 있음

○ 예 : CdS, CdSe, PbS, PbSe (800 nm ~ 2000 nm), Ge:Au, HgCdTe, Hg1-xCdxTe

○ 예 : 황화카드뮴 셀(CdS cell)

 

황화카드뮴 셀

Figure. 14. 황화카드뮴 셀

 

○ 장점 : 고감도 소재. 소형. 저렴함. 전력 용량이 많음. 잡음에 강함. 교류 동작이 가능. 비교적 큰 출력

○ 단점 : 응답속도가 느린 편 (10 ~ 100 ms). 낮은 조도 특성. 주위광이 외란광이 되기 쉬워 히스테리시스가 큼

빛이 없는 암실 : 약 200 kΩ의 저항을 가짐

○ 극장 객석 정도의 빛의 양 (10 lux) : 약 10 kΩ의 저항을 가짐

○ 빛의 양이 매우 많은 경우 : 저항이 매우 작아져 과전류가 흐름

 

 

4. color coding [목차]

숫자를 쓰기에 크기가 작은 저항에는 색으로 저항 값을 나타낸다.

색띠의 위치는 비대칭적이고, 저항의 끝에서 가까운 쪽부터 읽는다.

⑶ 4-band Resistor

① Color Code

 

4-band color coding
출처 : 이미지 클릭

 

Figure. 15. 4-band color coding]

 

② 두 자리 숫자, 10의 승수, 허용 오차

 

갈색 흑색 적색 금색
1 0 2 5%
10 × 102 (5%) = 950 ~ 1050 (Ω)

Table. 1. 4-band resistor 예시

 

 

⑷ 5-band resistor

① color code

 

5-band color coding
출처 : 이미지 클릭

 

Figure. 16. 5-band color coding]

 

 

② 세 자리 숫자, 10의 승수, 허용오차

 

갈색 흑색 황색 적색 적색
1 0 4 2 2%
104 × 102 (1%) = 10296 ~ 10504 (Ω)

Table. 2. 5-band resistor 예시

 

때때로 기존 Color Coding 마지막에 1000시간 사용 시 오동작할 확률을 별도로 표기함

 

 

5. 저항과 온도의 관계 [목차]

일반적인 경향

도체 : 온도 증가에 따른 원자들의 진동 증가로 저항 증가

반도체 : 온도 증가에 따른 전하운반자(carriers) 수의 증가로 저항 감소

○ 예 : 반도체를 이용한 컴퓨터 부품 등의 소자는 온도 증가가 과전류 유도 → 냉각 시스템이 필요한 이유

부도체 : 온도 증가에 따라 전자들이 원자에서 분리되어 저항이 감소함

○ 예 : ceramic heater는 양성피드백 회로이므로 반드시 controller을 필요로 함

 

온도에 따른 도체, 반도체, 부도체의 저항 변화
출처 : 이미지 클릭

Figure. 17. 온도에 따른 도체, 반도체, 부도체의 저항 변화]

 

⑵ 옴물질, 비옴물질

① 옴물질(Ohmic material) : 전류 또는 전압에 따라 저항이 바뀌지 않는 물질

② 비옴물질(non-Ohmic material) : 전류 또는 전압에 따라 저항이 바뀌는 물질

③ 완벽한 옴물질은 없으며 좁은 구간에서 근사적으로 성립하는 경우에 옴물질이라고 지칭

전류에 따라 열이 발생하고, 온도가 증가하며 이를 통해 I-V 곡선의 기울기가 바뀌어 비옴물질이 됨

상온 부근에서의 carbon-composition 저항값 변화 : 대개 온도가 증가함에 따라 저항이 감소

 

 

상온 부근에서의 carbon-composition 저항값 변화
출처: Boylestad, p.75, Figure 3.19

Figure. 18. 상온 부근에서의 carbon-composition 저항값 변화]

 

저항-온도 계수

① inferred absolute temperature : 온도-저항 그래프에서 온도 축의 외삽 온도

그래프 예시

 

inferred absolute temperature
출처: Boylestad, p.69, Table 3.5

Figure. 19. inferred absolute temperature]

 

임의의 온도에 따른 저항값을 구하는 데 사용함

 

 

α20 (temperature coefficients of resistance) : R20 = 20 ℃에서의 저항값

 

 

Ti 예시

 

Silver -243 ℃
Copper -234.5 ℃
Gold -274 ℃
Aluminium -236 ℃
Tungsten -204 ℃
Nickel -147 ℃
Iron -162 ℃
Nichrome -2,250 ℃
Constantan -125,000 ℃

Table. 3. Ti 예시

 

② PRM/

 

 

Rnominal : 상온에서의 저항값

△T = T - 20

 

 

6. 여러 저항값 [목차]

저항율 : 아래 표는 300 K에서의 저항율(단위 : Ωm)을 나타낸 것이다.

 

도체 Aluminium
2.73
× 10-8

Carbon(비결정질) 3.50
× 10-5
Copper
1.72
× 10-8

Gold
2.27
× 10-8

Nichrome
1.12
× 10-6


Silver
1.63
× 10-8


Tungsten
5.44
× 10-8


반도체 Silicon (순도에 따라)
10-5 ~ 1

부도 Fused Quartz
> 1021


Glass(typical)
1
× 1012


Teflon
1 × 1019

 

Table. 4. 저항율

 

표준저항 : 표준이 되는 저항값을 갖는 저항들

정밀저항 : 1 Ω 단위의 저항들로 가격도 표준저항보다 더 비쌈

표준저항의 예시

 

Table. 5. 표준저항의 예시

 

오차범위에 따른 표준저항

오차 범위에 따른 표준저항의 예시

 

 

Table. 6. 오차 범위에 따른 표준저항의 예시

 

비선형적인 표준저항 값의 이유

같은 표준저항 값이더라도 오차가 있으므로 실험자들이 적당 저항값을 찾아보라는 의미

정확한 저항값을 일일이 만들어 내면 재고가 쌓여 손해가 큼

 

저항 표준값과 실제 저항값의 분포
출처: Boylestad, p. 80, Figure 3.29

Figure. 20. 저항 표준값과 실제 저항값의 분포]

 

⑶ AWG(American Wire Gauge) : 도선의 표준

① Circular Mil(CM) : A = d2, d의 단위는 mil

Square Mil (SM) : A = π(0.5 × d)2. 한 변의 길이 d의 단위는 mil

구리 도선의 AWG 표준

 

Table. 7. 구리 도선의 AWG 표준

 

 

 

회로기판의 도선들은 대개 #22 ~ #24를 사용하며, 실험에서의 도선저항은 기껏해도 수 Ω이다.

 

 

7. 면저항(Sheet Resistance) [목차]

⑴ 블록 형태의 저항을 제작할 때 보통 높이(depth)를 일정하게 함

⑵ 이에 더하여 가로, 세로의 길이를 조절해서 저항값을 결정하므로 고안된 개념

⑶ 수식화 (, 면저항은 Rs)

 

 

 

8. 저항의 측정 [목차]

⑴ 저저항 측정(1 Ω 이하)

① 켈빈더블 브리지법 : 10-5 ~ 1 Ω 정도의 저저항 정밀 측정, 굵은 나선전의 저항

⑵ 중저항 측정(1 Ω ~ 10 kΩ 정도)

① 전압 강하법의 전압 전류계법 : 백열 전구의 필라멘트 저항 측정 등에 사용

② 머레이 루프법(휘스스톤 브릿지법의 일종) : 수천 Ω의 가는 전선 저항

⑶ 특수 저항 측정

① 휘스스톤 브릿지법 : 검류계의 내부 저항

② 콜라우시 브릿지법 : 전해액의 저항, 접지 저항

③ 메거법 : 옥내 전등선의 절연저항

 

입력: 2015.12.30 22:54

수정: 2018.12.11 23:00