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【회로이론】 8-2강. 반도체 관련 문제

 

8-2강. 반도체 관련 문제

 

추천글 : 【회로이론】 7강. 다이오드, 【회로이론】 8강. 트랜지스터 


 

1. 진성반도체와 p형 반도체의 전기전도도 비교

⑴ 문제 

 e = 1.6 × 10-19 C

② NA = 6.02 × 1023

③ ρSi = 2.33 × 106 g/m3

④ μSi = 28.09 g/mol

⑤ NIn / NSi = 10-7

 ni = 1.5 × 1016 m-3

⑦ μn = 0.135 m2/Vs

⑧ μp = 0.048 m2/Vs 

⑵ 답 

① σ진성반도체 = 4.392 × 10-4 S

② σp형 반도체 = 38.35 S

③ 87,320배 차이남

 

 

2. 저항의 저항값, 면적, 길이가 주어졌을 때 전기전도도 계산

⑴ 문제

① R = 10 kΩ

② A = 10-2 cm2

③ L = 100 cm

④ μp = 480 cm2 / Vs

⑵ 답

① σ = 1 Ω-1cm-1 

② Na = 1.302 × 1016 cm-3 

 

 

3. 도체와 반도체의 온도에 따른 저항값 변화

 

 

4. 순방향 바이어스, 역방향 바이어스에서 거리에 따른 캐리어의 농도 그래프

 

 

5. 정전압 특성곡선과 동작점 해석

 

 

6. 제너다이오드와 전압 조정기 회로

⑴ 문제 : RL = 1.2 kΩ, RL = 4 kΩ일 때 VL의 계산

⑵ 답 : RL = 1.2 kΩ일 때 VL = 8.73 V, RL = 4 kΩ일 때 VL = 10 V

 

 

7. 커패시터를 사용한 반파 정류회로

 

 

8. 양방향 동시제어 클리핑 회로 (단, 실제 다이오드 기준)

 

 

 

9. 커패시터 충전 여부와 클램핑 회로 

⑴ 문제

⑵ 답

 

 

10. BJT 트랜지스터의 전류-전압 특성 곡선 그래프 설명

⑴ 답안 작성 유의사항

① 축 표시 : 가로축은 VCE, 세로축은 IC 

② 활성영역, 포화영역, 차단영역 표시

③ 베이스폭 변조 효과 표시

④ 얼리전압 표시 : 얼리전압을 VA라고 하면 연장선과 x축의 교점은 (-VA, 0)이 됨 

 

 

11. FET 트랜지스터의 전류-전압 특성 그래프 설명

⑴ 답안 작성 유의사항

① 축 표시 : 가로축은 VDS, 세로축은 ID 

② 포화영역, 비포화영역, 차단영역

③ 비포화영역은 포물선을 나타냄을 표시

④ 천이점은 (VGS - VT, 0.5K(VGS - VT)2)임을 표시

⑤ FET 트랜지스터 또한 베이스폭 변조 효과가 나타남

⑥ 얼리전압 표시

 

 

12. FET 트랜지스터의 공식을 이용하여 회로 문제 풀기

 

 

13. 전압 분배 바이어스 회로 등가회로 문제 풀기

 

 

14. 동작점이 천이점이 되기 위한 VGS의 조건 

 

 

15. 공통 이미터 회로 예제와 전압 이득 계산

 

 

16. 공통 소스 회로 예제와 전압 이득 계산

 

 

17. 트랜지스터가 포화되기 위한 IB의 최솟값

문제 

① VCC = 10 V

② VCE(sat) = 0.3 V

③ RB = 90 kΩ

RC = 1 kΩ

⑤ βdc = 200 

⑵ 답

① IC(sat) = (VCC - VCE(sat)) ÷ RC = (10 - 0.3) ÷ 1000 = 9.7 mA

② IB(min) = IC(sat) ÷ βdc = 9.7 × 10-3 ÷ 200 = 4.84 × 10-5 A = 48.4 μA

 

입력: 2019.12.05 12:58